New gate CD control technology using CF4 plasma treatment following HBr/02 Plasma treatment step in gate etch process using organic BARC | PERPUSTAKAAN UNIVERSITAS KATOLIK PARAHYANGAN

Pencarian berdasarkan :

Pencarian terakhir:

Text

New gate CD control technology using CF4 plasma treatment following HBr/02 Plasma treatment step in gate etch process using organic BARC

Seong, Jun Kang - Nama Orang;

Tidak Tersedia Deskripsi

Ketersediaan

Barcode		Tipe Koleksi	Nomor Panggil	Lokasi	Status
art27199	null	Artikel		Gdg9-Lt3	Tersedia namun tidak untuk dipinjamkan - No Loan

Informasi Detail

Judul Seri: IEEE Transactions on Semiconductor manufacturing;Vol.20 No.2 May 2007
No. Panggil: -
Penerbit: : .,
Deskripsi Fisik: p.150-153
Bahasa: English
ISBN/ISSN: -
Klasifikasi: -
Tipe Isi: -
Tipe Media: -
Tipe Pembawa: -
Edisi: -
Subjek: -
Info Detail Spesifik: -
Pernyataan Tanggungjawab: Seong Jun Kang, Yang Hee Joung, Seong Yeol Mun

Versi lain/terkait

Tidak tersedia versi lain

Lampiran Berkas

Tidak Ada Data

Komentar

Anda harus masuk sebelum memberikan komentar