Improvement of temperature coefficient of resistance by co-implantation of argon or xenon or fluorine in baron implanted polysilicon resistors | PERPUSTAKAAN UNIVERSITAS KATOLIK PARAHYANGAN

Pencarian berdasarkan :

Pencarian terakhir:

Text

Improvement of temperature coefficient of resistance by co-implantation of argon or xenon or fluorine in baron implanted polysilicon resistors

Ashuah, Ido [et.al.] - Nama Orang;

Tidak Tersedia Deskripsi

Ketersediaan

Barcode		Tipe Koleksi	Nomor Panggil	Lokasi	Status
art43578	null	Artikel		Gdg9-Lt3	Tersedia namun tidak untuk dipinjamkan - No Loan

Informasi Detail

Judul Seri: IEEE TRANSACTIONS ON SEMICONDUCTOR MANUFACTURING;Vol.22 No.2 May 2009
No. Panggil: -
Penerbit: : .,
Deskripsi Fisik: p.305-316
Bahasa: English
ISBN/ISSN: -
Klasifikasi: -
Tipe Isi: -
Tipe Media: -
Tipe Pembawa: -
Edisi: -
Subjek: -
Info Detail Spesifik: -
Pernyataan Tanggungjawab: Ido Ashuah [et.al.]

Versi lain/terkait

Tidak tersedia versi lain

Lampiran Berkas

Tidak Ada Data

Komentar

Anda harus masuk sebelum memberikan komentar