Simulasi model : Heterojunction bipolar transistor silikon germanium [HBT SiGe] berdasarkan pengaturan lebar stripe Emiter [WE] | PERPUSTAKAAN UNIVERSITAS KATOLIK PARAHYANGAN

Pencarian berdasarkan :

Pencarian terakhir:

Text

Simulasi model : Heterojunction bipolar transistor silikon germanium [HBT SiGe] berdasarkan pengaturan lebar stripe Emiter [WE]

Alamsyah, Tossin - Nama Orang; Hartanto, Djoko - Nama Orang; N.R. Poespawati - Nama Orang;

Tidak Tersedia Deskripsi

Ketersediaan

Barcode		Tipe Koleksi	Nomor Panggil	Lokasi	Status
art49177	null	Artikel		Gdg9-Lt3	Tersedia namun tidak untuk dipinjamkan - No Loan

Informasi Detail

Judul Seri: Jurnal Penelitian dan Pengembangan Telekomunikasi;Vol.14 No.1: p.40-45
No. Panggil: -
Penerbit: : .,
Deskripsi Fisik: -
Bahasa: Indonesia
ISBN/ISSN: -
Klasifikasi: -
Tipe Isi: -
Tipe Media: -
Tipe Pembawa: -
Edisi: -
Subjek: -
Info Detail Spesifik: -
Pernyataan Tanggungjawab: Tossin Alamsyah, Djoko Hartanto, N.R. Poespawati

Versi lain/terkait

Tidak tersedia versi lain

Lampiran Berkas

Tidak Ada Data

Komentar

Anda harus masuk sebelum memberikan komentar