Efficiency dependence on degree of localization states in GaN-based asymmetric two-step light-emitting diode with a low indium content InGaN shallow step | PERPUSTAKAAN UNIVERSITAS KATOLIK PARAHYANGAN

Pencarian berdasarkan :

Pencarian terakhir:

Text

Efficiency dependence on degree of localization states in GaN-based asymmetric two-step light-emitting diode with a low indium content InGaN shallow step

Cheng-Huang, Kuo - Nama Orang; Shoou-Jinn, Chang - Nama Orang; Fu, Y. K - Nama Orang; Chi, G. C - Nama Orang;

Tidak Tersedia Deskripsi

Ketersediaan

Barcode		Tipe Koleksi	Nomor Panggil	Lokasi	Status
art54117	null	Artikel		Gdg9-Lt3	Tersedia namun tidak untuk dipinjamkan - No Loan

Informasi Detail

Judul Seri: IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS;Vol.46 No.3 4 March April 2010
No. Panggil: -
Penerbit: : .,
Deskripsi Fisik: p.391-395
Bahasa: English
ISBN/ISSN: -
Klasifikasi: -
Tipe Isi: -
Tipe Media: -
Tipe Pembawa: -
Edisi: -
Subjek: -
Info Detail Spesifik: -
Pernyataan Tanggungjawab: Cheng-Huang Kuo...[et al.]

Versi lain/terkait

Tidak tersedia versi lain

Lampiran Berkas

Tidak Ada Data

Komentar

Anda harus masuk sebelum memberikan komentar