Characteristics of a GaN-based light-emitting diode with an inseted p-GaN/i-InGaN superlattice structure | PERPUSTAKAAN UNIVERSITAS KATOLIK PARAHYANGAN

Pencarian berdasarkan :

Pencarian terakhir:

Text

Characteristics of a GaN-based light-emitting diode with an inseted p-GaN/i-InGaN superlattice structure

Yi-Jung, Liu - Nama Orang; Chih-Hung, Yen - Nama Orang; Tsung-Han, Tsai - Nama Orang; Wen-Chau, Liu - Nama Orang; Li-Yang, Chen - Nama Orang; Tsung-Yuan, Tsai - Nama Orang;

Tidak Tersedia Deskripsi

Ketersediaan

Barcode		Tipe Koleksi	Nomor Panggil	Lokasi	Status
art54130	null	Artikel		Gdg9-Lt3	Tersedia namun tidak untuk dipinjamkan - No Loan

Informasi Detail

Judul Seri: IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS;Vol.46 No.3 4 March April 2010
No. Panggil: -
Penerbit: : .,
Deskripsi Fisik: p.492-498
Bahasa: English
ISBN/ISSN: -
Klasifikasi: -
Tipe Isi: -
Tipe Media: -
Tipe Pembawa: -
Edisi: -
Subjek: -
Info Detail Spesifik: -
Pernyataan Tanggungjawab: Yi-Jung Liu...[et al.]

Versi lain/terkait

Tidak tersedia versi lain

Lampiran Berkas

Tidak Ada Data

Komentar

Anda harus masuk sebelum memberikan komentar