Tensile-Strained Ge/SiGeSn Quantum Wells for Polarization-Insensitive Electro-Absorption Waveguide Modulators | PERPUSTAKAAN UNIVERSITAS KATOLIK PARAHYANGAN

Pencarian berdasarkan :

Pencarian terakhir:

Text

Tensile-Strained Ge/SiGeSn Quantum Wells for Polarization-Insensitive Electro-Absorption Waveguide Modulators

Guo-En, Chang - Nama Orang; Chia-Ou, Chang - Nama Orang;

Tidak Tersedia Deskripsi

Ketersediaan

Barcode		Tipe Koleksi	Nomor Panggil	Lokasi	Status
art70361	null	Artikel		Gdg9-Lt3	Tersedia namun tidak untuk dipinjamkan - No Loan

Informasi Detail

Judul Seri: IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS; Vol.48 No.4 APRIL 2012
No. Panggil: -
Penerbit: : .,
Deskripsi Fisik: p. 533-541
Bahasa: English
ISBN/ISSN: -
Klasifikasi: -
Tipe Isi: -
Tipe Media: -
Tipe Pembawa: -
Edisi: -
Subjek: -
Info Detail Spesifik: -
Pernyataan Tanggungjawab: Guo-En Chang, Chia-Ou Chang

Versi lain/terkait

Tidak tersedia versi lain

Lampiran Berkas

Tidak Ada Data

Komentar

Anda harus masuk sebelum memberikan komentar