Improved Output Power of InGaN LEDs by Lteral Overgrowth om Si-Implanted n-GaN Surface to Form Air Gaps | PERPUSTAKAAN UNIVERSITAS KATOLIK PARAHYANGAN

Pencarian berdasarkan :

Pencarian terakhir:

Text

Improved Output Power of InGaN LEDs by Lteral Overgrowth om Si-Implanted n-GaN Surface to Form Air Gaps

Shang-Ju, Tu - Nama Orang; Ming-Lun, Lee - Nama Orang; Yu-Hsang, Yeh - Nama Orang; Feng-Wen, Huang - Nama Orang; Po-Cheng, Cheng - Nama Orang; Wei-Chih, Lai - Nama Orang; Chung-Wei, Chen - Nama Orang; Gou, Chung Chi - Nama Orang; Jinn-Kong, Sheu - Nama Orang;

Tidak Tersedia Deskripsi

Ketersediaan

Barcode		Tipe Koleksi	Nomor Panggil	Lokasi	Status
art73646	null	Artikel		Gdg9-Lt3	Tersedia namun tidak untuk dipinjamkan - No Loan

Informasi Detail

Judul Seri: IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS;Vol.48 No.8 AUGUST 2012
No. Panggil: -
Penerbit: : .,
Deskripsi Fisik: p.1004-1009
Bahasa: English
ISBN/ISSN: -
Klasifikasi: -
Tipe Isi: -
Tipe Media: -
Tipe Pembawa: -
Edisi: -
Subjek: -
Info Detail Spesifik: -
Pernyataan Tanggungjawab: Shang-Ju Tu, Jinn-Kong Sheu, Ming-Lun Lee, Yu-Hsang Yeh, Feng-Wen Huang, Po-Cheng Cheng, Wei-Chih Lai, Chung-Wei Chen, Gou Chung Chi

Versi lain/terkait

Tidak tersedia versi lain

Lampiran Berkas

Tidak Ada Data

Komentar

Anda harus masuk sebelum memberikan komentar