How Target Physical Properties Affect Thin-Body Semiconductor Doping When Using Energetic Ions: A Modeling-Based Analysis | PERPUSTAKAAN UNIVERSITAS KATOLIK PARAHYANGAN

Pencarian berdasarkan :

Pencarian terakhir:

Text

How Target Physical Properties Affect Thin-Body Semiconductor Doping When Using Energetic Ions: A Modeling-Based Analysis

Shayesteh, Maryam - Nama Orang; Duffy, Ray - Nama Orang;

Tidak Tersedia Deskripsi

Ketersediaan

Barcode		Tipe Koleksi	Nomor Panggil	Lokasi	Status
art106737	null	Artikel		Gdg9-Lt3	Tersedia namun tidak untuk dipinjamkan - No Loan

Informasi Detail

Judul Seri: IEEE TRANSACTION ON SEMICONDUCTOR MANUFACTURING;Vol.28 No.4 November 2015
No. Panggil: -
Penerbit: : .,
Deskripsi Fisik: p. 508-514
Bahasa: English
ISBN/ISSN: -
Klasifikasi: -
Tipe Isi: -
Tipe Media: -
Tipe Pembawa: -
Edisi: -
Subjek: SEMICONDUCTORS
SILICON
III-V SEMICONDUCTOR MATERIALS
GERMANIUM
SEMICONDUCTOR DEVICE DOPING
FIELD AFFECT TRANSISTORS (FETS)
Info Detail Spesifik: -
Pernyataan Tanggungjawab: Maryam Shayesteh, Ray Duffy

Versi lain/terkait

Tidak tersedia versi lain

Lampiran Berkas

Tidak Ada Data

Komentar

Anda harus masuk sebelum memberikan komentar