CHF3/O2-Based Plasma Reactive Ion Etching of GeTe for Nonvolatile Phase Change Memory | PERPUSTAKAAN UNIVERSITAS KATOLIK PARAHYANGAN

Pencarian berdasarkan :

Pencarian terakhir:

Text

CHF3/O2-Based Plasma Reactive Ion Etching of GeTe for Nonvolatile Phase Change Memory

Yangyang Xia - Nama Orang; Qing Wang - Nama Orang; Dongning Yao - Nama Orang; Dan Gao - Nama Orang; Zhen Xu - Nama Orang; Zhonghua Zhang - Nama Orang; Zhintang Song - Nama Orang; Sannian Song - Nama Orang; Xiaohui Guo Zheng - Nama Orang; Songlin Feng - Nama Orang; Bo Liu - Nama Orang;

Tidak Tersedia Deskripsi

Ketersediaan

Barcode		Tipe Koleksi	Nomor Panggil	Lokasi	Status
art113307	null	Artikel		Gdg9-Lt3	Tersedia namun tidak untuk dipinjamkan - No Loan

Informasi Detail

Judul Seri: IEEE TRANSACTIONS ON SEMICONDUCTOR MANUFACTURING; Vol.29 No.2 May 2016
No. Panggil: -
Penerbit: : .,
Deskripsi Fisik: p. 98-103
Bahasa: English
ISBN/ISSN: -
Klasifikasi: -
Tipe Isi: -
Tipe Media: -
Tipe Pembawa: -
Edisi: -
Subjek: PHASE CHANGE MEMORY
REACTIVE ION ETCHING
CHF3/O2 PLASMA
GETE
Info Detail Spesifik: -
Pernyataan Tanggungjawab: Yangyang Xia, Bo Liu, Qing Wang, Dongning Yao, Dan Gao, Zhen Xu, Zhonghua Zhang, Zhintang Song, Sannian Song, Xiaohui Guo Zheng, Songlin Feng

Versi lain/terkait

Tidak tersedia versi lain

Lampiran Berkas

Tidak Ada Data

Komentar

Anda harus masuk sebelum memberikan komentar