850-nm VCSELs with p-Type Doping in the Active Layers for Improved High-Speed and High-Temperature Performance | PERPUSTAKAAN UNIVERSITAS KATOLIK PARAHYANGAN

Pencarian berdasarkan :

Pencarian terakhir:

Text

850-nm VCSELs with p-Type Doping in the Active Layers for Improved High-Speed and High-Temperature Performance

Kai-Lun Chi - Nama Orang; Jin-Wei Shi - Nama Orang; Ying-Jay Yang - Nama Orang; Jason (Jyehong) Chen - Nama Orang; Xin-Nan Chen - Nama Orang; Jia-Liang Yen - Nama Orang; Dan-Hua Hsieh - Nama Orang; Hao-Chung Kuo - Nama Orang;

Tidak Tersedia Deskripsi

Ketersediaan

Barcode		Tipe Koleksi	Nomor Panggil	Lokasi	Status
art114864	null	Artikel		Gdg9-Lt3	Tersedia namun tidak untuk dipinjamkan - No Loan

Informasi Detail

Judul Seri: IEEE Journal of Quantum Electronics; Vol.52 No.11-12 November-December 2016
No. Panggil: -
Penerbit: : .,
Deskripsi Fisik: p. 2400607
Bahasa: English
ISBN/ISSN: -
Klasifikasi: -
Tipe Isi: -
Tipe Media: -
Tipe Pembawa: -
Edisi: -
Subjek: SEMICONDUCTOR LASERS
VERTICAL CAVITY SURFACE EMITTING LASERS
Info Detail Spesifik: -
Pernyataan Tanggungjawab: Kai-Lun Chi, Dan-Hua Hsieh, Jia-Liang Yen, Xin-Nan Chen, Jason (Jyehong) Chen, Hao-Chung Kuo, Ying-Jay Yang, Jin-Wei Shi

Versi lain/terkait

Tidak tersedia versi lain

Lampiran Berkas

Tidak Ada Data

Komentar

Anda harus masuk sebelum memberikan komentar