Theory and Design of Electron Blocking Layers for III-N-Based Laser Diodes by Numerical Simulation | PERPUSTAKAAN UNIVERSITAS KATOLIK PARAHYANGAN

Pencarian berdasarkan :

Pencarian terakhir:

Text

Theory and Design of Electron Blocking Layers for III-N-Based Laser Diodes by Numerical Simulation

Mehta, Karan - Nama Orang; RDupuis, ussell D. - Nama Orang; Shyh-Chiang Shen - Nama Orang; Ponce, Fernando A. - Nama Orang; Shuo Wang - Nama Orang; Alugubelli, Shanthan Reddy - Nama Orang; Young Jae Park - Nama Orang; Detchprohm, Theeradetch - Nama Orang; Hoon Jeong - Nama Orang; Jialin Wang - Nama Orang; Yuh-Shiuan Liu - Nama Orang; Yoder, P. Douglas - Nama Orang;

Tidak Tersedia Deskripsi

Ketersediaan

Barcode		Tipe Koleksi	Nomor Panggil	Lokasi	Status
art128678	null	Artikel		Gdg9-Lt3	Tersedia namun tidak untuk dipinjamkan - No Loan

Informasi Detail

Judul Seri: IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS; Vol.54 No.6 December 2018
No. Panggil: -
Penerbit: : .,
Deskripsi Fisik: p. 2001310
Bahasa: English
ISBN/ISSN: -
Klasifikasi: -
Tipe Isi: -
Tipe Media: -
Tipe Pembawa: -
Edisi: -
Subjek: LASER DIODE
VCSEL
DEVICE MODELING
III NITRIDDE
ELECTRON BLOCKING LAYEER
Info Detail Spesifik: -
Pernyataan Tanggungjawab: Karan Mehta, Yuh-Shiuan Liu, Jialin Wang, Hoon Jeong, Theeradetch Detchprohm, Young Jae Park, Shanthan Reddy Alugubelli, Shuo Wang, Fernando A. Ponce, Shyh-Chiang Shen, Russell D. Dupuis, P. Douglas Y

Versi lain/terkait

Tidak tersedia versi lain

Lampiran Berkas

Tidak Ada Data

Komentar

Anda harus masuk sebelum memberikan komentar