Extreme Temperature Operation of Ultra-Wide Bandgap AIGaN High Electron Mobility Transistors | PERPUSTAKAAN UNIVERSITAS KATOLIK PARAHYANGAN

Pencarian berdasarkan :

Pencarian terakhir:

Text

Extreme Temperature Operation of Ultra-Wide Bandgap AIGaN High Electron Mobility Transistors

Carey, Patrick H. - Nama Orang; Kotula, Paul G. - Nama Orang; Kaplar, Robert J. - Nama Orang; Douglas, Erica A. - Nama Orang; Armstrong, Andrew M. - Nama Orang; Allerman, Andrew A. - Nama Orang; Klein, Brianna A. - Nama Orang; Baca, Albert G. - Nama Orang; Ren, Fan - Nama Orang; Pearton, Stephen J. - Nama Orang;

Tidak Tersedia Deskripsi

Ketersediaan

Barcode		Tipe Koleksi	Nomor Panggil	Lokasi	Status
art134391	null	Artikel		Gdg9-Lt3	Tersedia namun tidak untuk dipinjamkan - No Loan

Informasi Detail

Judul Seri: IEEE TRANSACTIONS ON SEMICONDUCTOR MANUFACTURING; Vol.32 No.4 November 2019
No. Panggil: -
Penerbit: : .,
Deskripsi Fisik: p. 473-477
Bahasa: English
ISBN/ISSN: -
Klasifikasi: -
Tipe Isi: -
Tipe Media: -
Tipe Pembawa: -
Edisi: -
Subjek: GAN
HIGH TEMPERATURE
AIGAN
HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR (HEMT)
Info Detail Spesifik: -
Pernyataan Tanggungjawab: Patrick H. Carey, Fan Ren, Albert G. Baca, Brianna A. Klein, Andrew A. Allerman, Andrew M. Armstrong, Erica A. Douglas, Robert J. Kaplar, Paul G. Kotula, Stephen J. Pearton

Versi lain/terkait

Tidak tersedia versi lain

Lampiran Berkas

Tidak Ada Data

Komentar

Anda harus masuk sebelum memberikan komentar