A Study on the Impact of Mid-Gap Defects on Vertical GaN Diodes | PERPUSTAKAAN UNIVERSITAS KATOLIK PARAHYANGAN

Pencarian berdasarkan :

Pencarian terakhir:

Text

A Study on the Impact of Mid-Gap Defects on Vertical GaN Diodes

Ebrish, Mona A. - Nama Orang; Anderson, Travis J. - Nama Orang; Hobart, Karl D. - Nama Orang; Kaplar, Robert J. - Nama Orang; Gallagher, James C. - Nama Orang; Koehler, Andrew D. - Nama Orang; Foster, Geoffrey M. - Nama Orang; Gunning, Brendan P. - Nama Orang;

Tidak Tersedia Deskripsi

Ketersediaan

Barcode		Tipe Koleksi	Nomor Panggil	Lokasi	Status
art136655	null	Artikel		Gdg9-Lt3	Tersedia namun tidak untuk dipinjamkan - No Loan

Informasi Detail

Judul Seri: IEEE TRANSACTIONS ON SEMICONDUCTOR MANUFACTURING; Vol.33 No.4 November 2020
No. Panggil: -
Penerbit: : .,
Deskripsi Fisik: p. 546-551
Bahasa: English
ISBN/ISSN: -
Klasifikasi: -
Tipe Isi: -
Tipe Media: -
Tipe Pembawa: -
Edisi: -
Subjek: GAN
CHARACTERIZATION
FAILURE ANALYSIS
HYPERSPECTRAL ELECTROLUMINESCENCE
VERTICAL DIODE
Info Detail Spesifik: -
Pernyataan Tanggungjawab: Mona A. Ebrish, Travis J. Anderson, Andrew D. Koehler, Geoffrey M. Foster, James C. Gallagher, Robert J. Kaplar, Brendan P. Gunning, Karl D. Hobart

Versi lain/terkait

Tidak tersedia versi lain

Lampiran Berkas

Tidak Ada Data

Komentar

Anda harus masuk sebelum memberikan komentar