Characterisation of sol–gel prepared (HfO2)x(SiO2)1-x (x = 0.1, 0.2 and 0.4…
The HfO2–SiO2 system is attracting interest as a possible new dielectric material in semiconductor devices. Knowledge of the location of hafnium within the silica network and the effect hafnium h…
Hasil Pencarian
Ditemukan 1 dari pencarian Anda melalui kata kunci: Pengarang : Newport, Robert J.
Permintaan membutuhkan 0,55981 detik untuk selesai
Karya Umum 
Filsafat 
Agama 
Ilmu-ilmu Sosial 
Bahasa 
Ilmu-ilmu Murni 
Ilmu-ilmu Terapan 
Kesenian, Hiburan, dan Olahraga 
Kesusastraan 
Geografi dan Sejarah